OpenLight推出3.2T DR8硅光子PIC及1.6T DR8 LRO和LPO變體

  ICC訊  全球領先的定制PASIC芯片設計與制造商OpenLight于3月10日宣布，其首款基于異構集成硅光子技術的3.2T DR8光子集成電路（PIC）已開始提供樣品。該PIC采用Tower Semiconductor的PH18DA工藝制造，集成了OpenLight的1310 nm分布式反饋（DFB）激光器和高性能基于InP的448G電吸收調制器（EAM），提供了高度集成、低功耗的解決方案。

  這一里程碑的實現(xiàn)基于OpenLight與Tower Semiconductor在其工藝設計套件（PDK）平臺上超過一年的專注設計與工藝優(yōu)化合作。由此，OpenLight顯著提升了其448G EAM技術，展示了接近100GHz的差分3dB帶寬以及在2.0伏差分電壓下大于3.5dB的消光比（ER）。這些成果在維持功耗效率和可制造性的同時，確保了太比特數(shù)據速率下的穩(wěn)健性能。這種高度集成的PIC解決方案不僅非常適合模塊和收發(fā)器應用，也適用于新興的共封裝光學（CPO）和近封裝光學（NPO）應用，在這些應用中，功耗效率、熱性能和封裝簡易性至關重要。

  OpenLight的3.2T DR8 PIC憑借其高帶寬、低驅動性能的448G EAM技術，消除了對外部耦合連續(xù)波（CW）激光源的需求，并顯著簡化了封裝要求。通過在有源元件與硅波導之間實現(xiàn)約90%的耦合效率，以及InP EAM僅2V的低驅動擺幅，OpenLight實現(xiàn)了一種極低功耗的解決方案。在3.2T滿負荷運行時，該PIC在80°C下的功耗低于2W，相當于約0.63 pJ/bit，與前幾代設計相比，熱效率有了顯著提升。

  在此基礎之上，OpenLight推出的3.2T DR8 PIC與其1.6T DR8 PIC采用相同的平臺架構擴展而來，實現(xiàn)了一種跨數(shù)據速率世代的一致且可擴展的設計方法，使客戶能夠利用通用平臺實現(xiàn)從1.6T到3.2T部署的無縫快速擴展。正如近期宣布的，PH18DA平臺上的所有有源元件，包括3.2T DR8 PIC中使用的那些，均已獨立通過Telcordia GR-468標準認證，為在高可靠性數(shù)據中心環(huán)境中的部署提供了額外保障。

  Tower Semiconductor射頻業(yè)務部副總裁兼總經理Dr. Ed Preisler表示：“我們非常高興通過OpenLight的緊密合作，為客戶提供3.2T解決方案。展望未來，我們看到了通過在我們的硅光子平臺內集成激光器、EAM和其他InP元件，PH18DA技術在擴大我們可服務市場方面的巨大潛力?！?

  OpenLight首席執(zhí)行官Dr. Adam Carter表示：“采用448G EAM的3.2T DR8 PIC在功耗效率、成本和上市時間方面帶來了顯著優(yōu)勢。我們448G EAM的卓越性能為客戶提供了一條簡單直接的可擴展路徑，使其能夠以每通道400G從1.6T過渡到3.2T，并且不僅適用于DR8和FR4收發(fā)器模塊應用，也適用于新興的共封裝光學（CPO）和近封裝光學（NPO）應用?！?

  這些平臺改進也推動了OpenLight 1.6T DR8 PIC的持續(xù)進展，采用224G EAM器件的產品現(xiàn)正處于測試樣品階段，并提供LRO和LPO兩種變體。OpenLight已收到來自主要光模塊制造商的訂單，以支持模塊構建和認證項目，反映出隨著設計走向生產，客戶的采用率正在增長。

  3.2T DR8 PIC的平臺初始樣品現(xiàn)已推出，裸芯片可立即提供，集成倒裝焊448G調制器和驅動器的評估板預計于2026年3月底推出。用于模塊和收發(fā)器認證的3.2T DR8 PIC測試樣品預計將于2026年第四季度提供。

  OpenLight將參加于2026年3月15日至19日在加利福尼亞州洛杉磯會議中心舉行的OFC 2026。如需了解更多關于OpenLight可量產光子平臺和PH18DA工藝的信息，請訪問#2449展位或www.openlightphotonics.com。欲了解Tower Semiconductor硅光子平臺的更多信息，請訪問#2221展位。

  原文：https://openlightphotonics.com/newsroom/openlight-introduces-3-2t-dr8-silicon-photonics-pics-as-well-as-1-6t-dr8-lro-and-lpo-variants