自主突破，九峰山實驗室首發(fā)6英寸InP激光器與探測器外延工藝

  ICC訊 九峰山實驗室近日在磷化銦(InP)材料領域取得重要技術突破，成功開發(fā)出6英寸磷化銦(InP)基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝，關鍵性能指標達到國際領先水平。這一成果也是國內首次在大尺寸磷化銦材料制備領域實現(xiàn)從核心裝備到關鍵材料的國產化協(xié)同應用，為光電子器件產業(yè)化發(fā)展提供重要支撐。

  九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片

  作為光通信、量子計算等領域的核心材料，磷化銦(InP)材料的產業(yè)化應用長期面臨大尺寸制備的技術瓶頸，業(yè)界主流停留在3英寸工藝階段，高昂的成本使其無法滿足下游產業(yè)應用的爆發(fā)式增長。

  九峰山實驗室依托國產MOCVD設備與InP襯底技術，突破大尺寸外延均勻性控制難題，首次開發(fā)出6英寸磷化銦(InP)基PIN結構探測器和FP結構激光器的外延生長工藝， 關鍵性能指標達到國際領先水平，為實現(xiàn)6英寸磷化銦(InP)光芯片的規(guī)?；苽浯蛳禄A。

  材料性能：

  FP激光器量子阱PL發(fā)光波長片內標準差<1.5nm，組分與厚度均勻性<1.5%

  PIN探測器材料本底濃度<4×101?cm?3，遷移率>11000 cm2/V·s

九峰山實驗室外延工藝團隊

  在全球光電子產業(yè)高速發(fā)展的背景下，光通信、激光雷達、太赫茲通信等領域對磷化銦(InP)的需求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長。據Yole預測，磷化銦(InP)光電子市場規(guī)模2027年將達56億美元，年復合增長率(CAGR)達14%。6英寸磷化銦(InP)工藝的突破，有望推動國產光芯片成本降至3英寸工藝的60%-70%，有助于增強國產光芯片市場競爭力。

  九峰山實驗室本次聯(lián)合國內供應鏈實現(xiàn)全鏈路突破，對促進我國化合物半導體產業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展有著重要影響，也為產業(yè)鏈自主可控奠定了基礎。例如，九峰山實驗室本次技術突破中6英寸磷化銦(InP)襯底合作方云南鑫耀的6英寸高品質磷化銦單晶片產業(yè)化關鍵技術已實現(xiàn)突破，量產在即。未來，實驗室將持續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺，推動下游產品驗證，提升產業(yè)鏈自主可控能力，推動我國光電子產業(yè)升級。