AOI推出400mW超高功率激光器 為硅光與CPO提供可靠高性能光源

  ICC訊 互聯(lián)網(wǎng)先進光學(xué)及HFC網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品領(lǐng)先供應(yīng)商AOI(NASDAQ: AAOI)宣布推出一款新型400mW窄線寬泵浦激光器，旨在滿足AI數(shù)據(jù)中心對硅光子（SiPh）技術(shù)及共封裝光學(xué)（CPO）日益增長的需求。

  新型400mW激光器歷時數(shù)年開發(fā)，面向因激光器線寬過寬或噪聲系數(shù)過高而遭遇性能限制的場景。新型激光器可直接集成在半導(dǎo)體芯片級系統(tǒng)中，為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心運營商提供穩(wěn)定可靠的高性能光源，適用于共封裝光學(xué)（CPO）、硅光子學(xué)（SiPh）及其他需要單一穩(wěn)定波長兼具精度與功率的應(yīng)用。400mW激光器芯片可作為高效的外部光源，為多通道提供必要的泵浦功率。

  主要優(yōu)勢包括：

  · 滿足800G/1.6T功耗預(yù)算：提供足夠的光功率以克服耦合、分路和路由損耗，同時不會超出AI交換芯片附近的熱限值。

  · 支持共享與外部激光器架構(gòu)：能夠從單一集中式光源可靠地為多個硅光子通道或波長供光。

  · 穩(wěn)定硅光子器件：最大限度地減少環(huán)形調(diào)制器、微環(huán)激光器和片上非線性元件中的波長漂移和噪聲。

  · 提高系統(tǒng)良率與運行時間：減少校準工作、簡化波長鎖定，并在系統(tǒng)擴展時保持通道間性能的一致性。

  關(guān)鍵性能規(guī)格：

  · 基于AOI成熟可靠的隱埋異質(zhì)結(jié)構(gòu)激光器平臺的DFB激光器

  · 在50°C溫度下光功率超過400mW

  · 窄線寬

  AOI高級副總裁兼北美區(qū)總經(jīng)理Fred Chang表示：“復(fù)雜的架構(gòu)需要高性能光源。過去幾年，我們一直致力于研發(fā)產(chǎn)品規(guī)格，以生產(chǎn)出能夠滿足當(dāng)前光網(wǎng)絡(luò)需求、特別是支持未來CPO架構(gòu)的超高功率激光器。憑借這項新技術(shù)，我們正在提升激光器功率、相干性和穩(wěn)定性的標準，為客戶提供理想的解決方案，以釋放可擴展的光學(xué)I/O能力、簡化系統(tǒng)設(shè)計，并加速行業(yè)向800G及以上速率的共封裝光學(xué)過渡?！?

  目前該產(chǎn)品已向部分客戶提供樣品，預(yù)計將于2026年下半年開始批量生產(chǎn)。