中國團隊創(chuàng)VCSEL帶寬新紀錄,AI數(shù)據(jù)中心迎來光芯片革命

訊石光通訊網(wǎng) 2025/11/13 16:24:30

  導(dǎo)語

  在算力需求爆炸式增長的AI時代,光通信帶寬正成為制約數(shù)據(jù)中心性能的關(guān)鍵瓶頸。近日,深圳技術(shù)大學寧存政院士團隊通過一項創(chuàng)新設(shè)計,將850nm VCSEL的調(diào)制帶寬提升至37.2GHz,打破該領(lǐng)域近20年30GHz的性能天花板!這一成果發(fā)表于頂級期刊《Laser & Photonics Reviews》,為下一代200G/s光模塊提供了低成本解決方案。

▲圖1 對比同行研究,深圳技術(shù)大學SZTU成果領(lǐng)先

  技術(shù)突破:巧用“空間模式選擇”突破物理極限

  1. 傳統(tǒng)VCSEL的困境

  帶寬鎖死30GHz:受限于載流子壽命、熱效應(yīng)等物理機制,850nm VCSEL長期卡在≤100Gb/s(PAM4格式)的傳輸速率,難以滿足AI算力需求。

  耦合方案失效:此前通過多腔耦合提升帶寬的方案,因光場空間平均效應(yīng)導(dǎo)致高頻響應(yīng)被削弱。

  2. 創(chuàng)新設(shè)計:選擇性輸出耦合

▲圖2(a)雙VCSEL耦合結(jié)構(gòu)示意圖,(b)5μm孔徑實物圖。

  3.團隊提出“雙臺面耦合+空間選模”策略(圖2):

  結(jié)構(gòu)創(chuàng)新:制備兩個間距可調(diào)(2-15μm)的耦合VCSEL臺面(直徑14-16μm)。

  關(guān)鍵一招:在其中一個激光器頂部開設(shè)5微米孔徑(圖2b),選擇性收集特定空間模式的光輸出,避免多模平均效應(yīng),顯著增強高頻響應(yīng)。

  性能飛躍:37%帶寬提升創(chuàng)世界紀錄

  實驗對比

  全孔徑收集:帶寬僅27.7GHz(與傳統(tǒng)VCSEL相當)。

  5μm選擇性收集:帶寬飆升至37.2GHz(圖3),提升37%!

  核心機制驗證

  模式拍頻效應(yīng):光譜分析顯示高頻響應(yīng)峰(26–33GHz)源自光學模式相干疊加。

  距離優(yōu)化:當臺面間距為8.5μm時,耦合強度最佳,帶寬達到峰值(圖4)。

▲圖3 是否開孔以及單一VCSEL和雙VCSEL的帶寬對比

▲圖4 不同VCSEL間距以及不同電流下的帶寬對比

  產(chǎn)業(yè)價值:低成本撬動200G/s光互聯(lián)

  無需復(fù)雜工藝

  采用標準MOCVD工藝與濕法氧化技術(shù),兼容現(xiàn)有產(chǎn)線。

  測試中已實現(xiàn)106Gb/s PAM4傳輸(眼圖清晰,圖5),受限于設(shè)備keysight N1092C未達理論極限。

▲圖5 眼圖測試106 Gb/s PAM4:(a) all-open TDECQ=0.54 dB,ER=2.40 dB, (b) 5-μm-open TDECQ=3.13 dB,ER=2.69.

  應(yīng)用場景

  下一代數(shù)據(jù)中心:支持200Gb/s單通道傳輸,降低光模塊成本。

  AI算力底座:滿足GPU集群間高速互聯(lián)需求,減少延遲瓶頸。

  未來展望

  帶寬進一步提升:通過優(yōu)化孔徑尺寸與腔數(shù)(如七邊形耦合結(jié)構(gòu)),有望逼近50GHz。

  波長擴展:技術(shù)可遷移至980nm、1060nm等通信波段,覆蓋更廣應(yīng)用場景。

  結(jié)語

  這項研究首次實驗驗證了選擇性空間耦合的帶寬增強機制,不僅是VCSEL技術(shù)的突破,更為光子集成芯片設(shè)計提供了新范式。在AI驅(qū)動算力革命的今天,中國團隊正以光速推開未來通信的大門。

  參考文獻

  Zhong C, Feng J, Deng S, et al. Breaking the Bandwidth Limit of Vertical‐Cavity Surface‐Emitting Lasers by Selective Spatial‐Mode Outcoupling[J]. Laser & Photonics Reviews, 2025: e00880.

新聞來源:訊石光通訊網(wǎng)

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