美光2000億美元芯片回流計劃面臨多重挑戰(zhàn)

  ICC訊  全球第三大存儲芯片制造商美光科技上周宣布，將在愛達(dá)荷州新建第二座存儲芯片工廠、擴(kuò)建弗吉尼亞州設(shè)施，并將AI關(guān)鍵的高帶寬內(nèi)存(HBM)先進(jìn)封裝技術(shù)轉(zhuǎn)移至美國，追加投資300億美元至此前計劃。加上500億美元的國內(nèi)研發(fā)投入，以及紐約州"超級工廠"計劃，美光總投資額達(dá)2000億美元。

  目前美光幾乎所有DRAM產(chǎn)品均在海外生產(chǎn)，公司表示目標(biāo)是將40%的DRAM產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至美國，但未給出具體時間表。這是繼臺積電和格芯之后，又一家響應(yīng)特朗普政府號召加大在美投資的半導(dǎo)體企業(yè)。

  國際商業(yè)戰(zhàn)略公司CEO Handel Jones指出，美光在紐約州克萊鎮(zhèn)的工廠將面臨成本競爭力問題："該地區(qū)缺乏DRAM制造的專業(yè)人才，美光未來需要在美國其他地區(qū)或海外另尋生產(chǎn)基地。"在HBM領(lǐng)域，美光還需追趕SK海力士，同時應(yīng)對三星在得州泰勒市新建晶圓廠的競爭。

  TechInsights副主席Dan Hutcheson認(rèn)為，這些投資部分源于《芯片法案》補(bǔ)貼和政府壓力，但企業(yè)仍需考慮投資回報。"當(dāng)前投資模式受地緣政治因素影響，如關(guān)稅和'一個中國'政策的不確定性。"美光約60%的DRAM產(chǎn)自臺海地區(qū)。

  美光CEO Sanjay Mehrotra表示，投資將鞏固美國技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位，創(chuàng)造數(shù)萬個就業(yè)崗位，確保半導(dǎo)體供應(yīng)鏈安全。公司預(yù)計有資格獲得旨在提振本土芯片業(yè)的"先進(jìn)制造投資稅收抵免"，并已獲得聯(lián)邦、州和地方各級資金支持，包括64億美元的《芯片法案》撥款。

  Jones指出，特朗普政府可能重新分配拜登政府末期承諾的芯片補(bǔ)貼："現(xiàn)任政府認(rèn)為關(guān)稅足以保護(hù)半導(dǎo)體業(yè)，新增資金審批還受萬億級財政赤字制約。"新關(guān)稅政策或?qū)M(jìn)口DRAM征收25%以上關(guān)稅，這也成為美光回流的潛在動因。

  英偉達(dá)CEO黃仁勛表態(tài)支持該計劃，稱美光的HBM技術(shù)對AI生態(tài)至關(guān)重要。美國商務(wù)部表示將簡化審批流程，加速投資落地。特朗普政府已放寬拜登時期對愛達(dá)荷、紐約和弗吉尼亞項目的政策限制。

  （本文作者Alan Patterson為資深電子產(chǎn)業(yè)記者，常駐亞洲逾30年，曾任職彭博社和道瓊斯通訊社）