新品發(fā)布 | 聯(lián)訊儀器4通道PXIe SMU S2019C，以1μV/1pA分辨率實(shí)現(xiàn)超高精度測(cè)試

  ICC訊 聯(lián)訊儀器最新推出的S2019C四通道PXIe SMU，在保持S2011C/S2012C/S2016C系列硬件平臺(tái)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了功能升級(jí)與性能突破。該設(shè)備創(chuàng)新性地集成了自動(dòng)量程等智能化功能，具備四通道同步輸出與測(cè)量能力，支持±40V寬電壓范圍輸出，并提供±500mA（直流）和±1A（脈沖）雙模式電流輸出。其突破性的pA級(jí)電流測(cè)量精度，配合優(yōu)異的動(dòng)態(tài)性能表現(xiàn)，完全覆蓋傳統(tǒng)型號(hào)的所有應(yīng)用場(chǎng)景，能夠滿足5G射頻器件、光電器件對(duì)測(cè)試精度和穩(wěn)定性的嚴(yán)苛要求。

  1、產(chǎn)品特點(diǎn)

  分辨率高達(dá)1μV/1pA

  電流分辨率低至1pA，電壓分辨率達(dá)1μV，精準(zhǔn)捕捉nA級(jí)漏電、μV級(jí)信號(hào)波動(dòng)。

  4通道獨(dú)立/同步控制

  支持四通道并行輸出與測(cè)量，可同時(shí)完成多器件IV特性掃描或特征參數(shù)測(cè)量，大幅提升測(cè)試效率。

  ±40V/±1A寬域動(dòng)態(tài)覆蓋，脈沖源與直流源集于一身

  直流±40V/±500mA，脈沖±1A輸出能力，輕松應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體器件測(cè)試、高精度傳感器采集等場(chǎng)景。

  1MS/s高速采樣 + APFC動(dòng)態(tài)調(diào)優(yōu)

  1MS/s超高速ADC采樣率，結(jié)合自適應(yīng)精密快速控制（APFC）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)輸出波形亞毫秒級(jí)穩(wěn)定，瞬態(tài)響應(yīng)無延遲。

直流IV輸出能力

  多卡同步 + 全棧自動(dòng)化支持

  基于PXIe協(xié)議，支持多卡級(jí)聯(lián)擴(kuò)展與硬件同步觸發(fā)； 采用標(biāo)準(zhǔn)SCPI進(jìn)行控制，支持C#、Python、C/C++、LabVIEW等編程語(yǔ)言控制，無縫融入現(xiàn)有測(cè)試平臺(tái)。

  2、典型應(yīng)用

  半導(dǎo)體測(cè)試/硅光晶圓測(cè)試

  半導(dǎo)體測(cè)試：MOSFET/ IGBT/BJT IV特性分析

  ?±40V/±1A寬范圍輸出和測(cè)量，搭配1μV/1pA分辨率，精確測(cè)量nA級(jí)到A級(jí)的電流變化。

  ?單卡四通道獨(dú)立輸出，匹配四端器件測(cè)試更加經(jīng)濟(jì)高效。

  硅光晶圓測(cè)試：破解高集成芯片的暗電流難題

  在硅光芯片制造中，nA級(jí)暗電流的精準(zhǔn)測(cè)量直接決定器件性能與良率

  ?S2019C憑借1pA分辨率，可穩(wěn)定捕捉超低暗電流信號(hào)，搭配4通道并行架構(gòu)，支持晶圓級(jí)多探針同步測(cè)試，實(shí)現(xiàn)硅光器件漏電流、響應(yīng)度等參數(shù)的全覆蓋分析，為800G光模塊、激光雷達(dá)芯片提供可靠性保障。

硅光晶圓多探針同步測(cè)試

  結(jié)語(yǔ)

  S2019C 4通道PXIe SMU

  精準(zhǔn)捕捉毫伏/納安級(jí)信號(hào)，掌握微弱變化

  覆蓋復(fù)雜工業(yè)場(chǎng)景，應(yīng)對(duì)各類嚴(yán)苛測(cè)試環(huán)境

  實(shí)驗(yàn)室級(jí)數(shù)據(jù)精度，助力科研創(chuàng)新與工業(yè)升級(jí)